基于忆阻器的长短期记忆神经网络设计研究文献综述

 2024-06-14 04:06
摘要

近年来,随着人工智能技术的飞速发展,深度学习在各个领域取得了显著的成果。

然而,传统基于冯·诺依曼架构的计算系统在处理深度学习任务时存在着功耗高、效率低等问题。

忆阻器作为一种新型非易失性存储器件,具有非易失性、低功耗、高集成度等优点,为突破冯·诺依曼瓶颈、实现高效的神经形态计算提供了promising的解决方案。

长短期记忆(LongShort-TermMemory,LSTM)神经网络作为一种特殊的循环神经网络,在处理时序数据方面表现出色。

因此,将忆阻器与LSTM神经网络相结合,构建基于忆阻器的LSTM神经网络,成为当前研究的热点。

本文首先介绍了忆阻器和LSTM神经网络的基本概念、发展历程以及研究现状;其次,重点概述了基于忆阻器的LSTM神经网络设计,包括忆阻器模型、网络结构、训练算法等方面的研究进展;最后,总结了当前研究存在的挑战,并展望了未来的发展趋势。


关键词:忆阻器;长短期记忆神经网络;神经形态计算;深度学习;人工智能

1相关概念

近年来,随着人工智能技术的飞速发展,深度学习在各个领域取得了显著的成果。

然而,传统基于冯·诺依曼架构的计算系统在处理深度学习任务时存在着功耗高、效率低等问题,制约了人工智能的发展。

忆阻器作为一种新型非易失性存储器件,具有非易失性、低功耗、高集成度等优点,为突破冯·诺依曼瓶颈、实现高效的神经形态计算提供了promising的解决方案。

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