摘要
CdTe半导体材料作为一种重要的II-VI族化合物半导体，在太阳能电池、红外探测器、辐射探测器等领域有着广泛的应用。
然而，CdTe材料中的位错缺陷会对其光电性能产生显著影响，限制了其进一步发展。
本文综述了近年来国内外对CdTe半导体中位错缺陷的研究进展，首先介绍了CdTe材料的结构特点、性质以及位错缺陷的类型和形成机制，然后重点概述了研究CdTe半导体中位错缺陷的各种实验表征方法和理论模拟方法，并对不同类型位错缺陷对CdTe材料性能的影响进行了详细分析。
最后，对未来CdTe半导体中位错缺陷的研究方向进行了展望。
关键词：CdTe半导体；位错缺陷；性能影响；表征方法；理论模拟
CdTe作为一种直接带隙II-VI族化合物半导体材料，禁带宽度约为1.5eV，非常接近太阳能电池的最佳禁带宽度值，且具有较高的光吸收系数和较长的载流子扩散长度，因此在光伏领域展现出巨大的应用潜力。
此外，CdTe还具有优异的电学性质和机械性能，可用于制备高效率的红外探测器、辐射探测器以及其他光电器件。
然而，在CdTe材料的制备和应用过程中，不可避免地会产生各种缺陷，其中位错缺陷是一种常见的晶体缺陷类型。
位错缺陷的存在会显著影响CdTe材料的晶体结构、光电性能以及力学性能等，进而影响器件的性能和使用寿命。
因此，研究CdTe材料中位错缺陷的类型、形成机制、影响因素以及对材料性能的影响，对于改善CdTe材料的质量、提高器件性能具有重要的意义。
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